• VK:@id836505054
  • service_jesseli@gxschip.com

Сообщение

Свяжитесь с нами

Текущее местоположение:Главная >> Сообщение >> Промышленные нов...

Промышленные новости

Анализ параметров и преимущества применения ферроэлектрической памяти GX85RS2MC вместо Cypress FM25V20A

Время:2025-01-17 Просмотры:365
Как мы все знаем, ферроэлектрическая память FM25V20A обладает такими характеристиками, как высокая скорость, низкое энергопотребление и высокая долговечность, которые труднодостижимы для традиционной FLASH-памяти и EEPROM, и имеет богатое применение в различных отраслях. В настоящее время отечественная ферроэлектрическая память GX85RS2MC стала мощным выбором, который может сравниться с FM25V20A или даже превзойти ее по своим превосходным характеристикам. Далее мы проанализируем особенности и преимущества FM25V20A и GX85RS2MC.

GX85RS2MC от GXSC - это новый тип ферроэлектрической памяти, конфигурация микросхемы составляет 262 144 x 8 бит, с использованием ферроэлектрического процесса и технологии КМОП с кремниевым затвором для формирования энергонезависимой ячейки памяти и SRAM В отличие от SRAM, микросхема не требует батареи для поддержания данных. Ячейка памяти, используемая в этой микросхеме, может быть использована для 1E11 операций чтения/записи, а ее выносливость при чтении/записи значительно превышает таковую у FLASH и EEPROM, и не требует длительного времени записи данных, как FLASH или EEPROM, и не требует времени ожидания.
FM25V20A - это энергонезависимая память объемом 2 М, созданная с использованием передового ферроэлектрического процесса. Ферроэлектрическая память с произвольным доступом является энергонезависимой, а операции чтения и записи аналогичны оперативной памяти. Она обеспечивает надежное хранение данных в течение 151 года, устраняя при этом сложности, накладные расходы и проблемы надежности на уровне системы, связанные с последовательной флэш-памятью, EEPROM и другими энергонезависимыми памятью. В отличие от последовательной флэш-памяти и EEPROM, FM25V20A выполняет операции записи на скорости шины. Задержки при записи отсутствуют. Кроме того, по сравнению с другими энергонезависимыми запоминающими устройствами, они обладают значительной стойкостью при записи.

Резюме: Из приведенного выше сравнения видно, что GX85RS2MC является хорошей заменой ферроэлектрической памяти FM25V20A, а по стоимости GX85RS2MC имеет некоторое преимущество перед импортной FM25V20A. С непрерывным развитием китайской промышленности ИС, стабильность и своевременность поставок GX85RS2MC более гарантированы. GXSC может предоставить техническую поддержку на протяжении всего процесса замены.