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发布日期:2024-07-23 点击次数:514

FRAM是一种非易失性存储器，具有高速读写、低功耗、长寿命等优点。在智能手表中可以用于存储系统数据、用户数据、应用程序等。

FRAM的特点使其特别适合智能手表等对功耗和读写速度要求较高的设备。它写入时的功耗低，高速写入速度，可以快速存储和读取数据，保证系统的响应速度；同时，其低功耗特性可以延长智能手表的电池续航时间。所以，高性能铁电存储GX85RS2MC非常适合用于智能手表中。

GX85RS2MC的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，不需要电池就可以保持数据，它的工作电压范围为2.7V至3.6V，最低待机功耗只有9微安，能在低电流的情况下瞬间保存数据，确保系统中的信息安全。

GX85RS2MC性能介绍：

1、GX85RS2MC的存储单元可用于100万次读写，数据保持：10年@85℃（200年@25℃），当设备掉电后数据也不会丢失。

2、GX85RS2MC最大功耗为5mA，待机电流仅7μA，可以有效降低设备的功耗。

3、GX85RS2MC支持SPI串行接口，最大25MHz工作频率，可满足设备快速通信需求。

4、GX85RS2MC工作环境温度范围是-40℃至85℃，符合工业环境的应用。

5、GX85RS2MC采用SOP8小封装，节省PCB板设计空间，便于布局。

6、GX85RS2MC性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）；

此外，FRAM GX85RS2MC的8引脚SOP封装尺寸较小，可以节省智能手表的内部空间，使设备更加紧凑和轻便。在提高智能手表的性能和可靠性外，同时也为智能手表的小型化和便携化提供了支持。