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发布日期:2024-05-07 点击次数:700

传统的助听器通常使用EEPROM来记录信息，但是FRAM可以更快地写入数据，且耗能更少。例如，以同样的频率写入64字节的数据，FRAM的写入速度比EEPROM快20倍，功耗只有FRAM的1/140, 这意味着更换电池的频率更低。

FRAM另一个独特的优势就是能够减少存储器在写入数据时的噪声。EEPROM要使用内部的10V的高电压来擦除和在存储器中写入数据。在写入时，这个高供电电压会在电路中产生噪声，如果使用FRAM，就不需要高电压来擦除和写入数据，这个问题迎刃而解。

FRAM GX85RS2MC的应用特点如下：

1、GX85RS2MC配置为16,384×8位，通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，和SRAM不同，该芯片不需要电池就可以保持数据，有效提高数据的安全性。

2、GX85RS2MC采用SOP8小封装，可以节省助听器PCB板设计空间，便于布局；

3、GX85RS2MC任何扇区编程擦除周期典型值达100万次，数据保留年限典型值25年，可充分满足产品可靠性要求；

4、GX85RS2MC最大功耗为5mA，最大待机电流仅仅10μA，可有效降低功耗，延长检测仪电池使用时间；

5、GX85RS2MC支持SPI串行接口，最大25MHz工作频率，可满足主控芯片快速通信需求；

6、GX85RS2MC的工作电压为2.7V至3.6V，待机功耗仅有7μA，完全满足系统低功耗需求，而且工作环境温度范围是-40℃至85℃，在更多场景下使用也能保证数据读写的的稳定性。

7、GX85RS2MC兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯），且GX85RS2MC价格有一定的优势，GXSC可提供稳定的供货和技术支持。