FRAM GX85RS2MC用于实时处理系统，兼容MB85RS2MT

在实时处理系统中，处理任务逐渐复杂，对处理的实时性要求也越来越高，故而采用多处理器方案来满足日益提高的要求是一个不错的选择。FRAM GX85RS2MC采用铁电质膜用作电容器来存储数据，同时具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势，完全满足实时处理系统的应用需求。

相比于传统的存储器技术，GX85RS2MC拥有高速读写，高耐久性，低功耗，抗电磁干扰和抗辐照等特点，可以完全替代富士通的FM25V20A，且该产品性能优越，可靠性高，非常适用于车载，电力，工控、可穿戴设备等场景，并且在人工智能领域也有广泛的应用前景。如今GXSC FRAM已成功推出110纳米技术的新型铁电存储器产品，与现有技术相比，新产品面积缩小约40%~60%，性能大幅度提升。

GX85RS2MC芯片为低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作，芯片的数据在85℃工作环境下可以保存10年，在25℃工作环境下可以保存200年，且具有防潮、防电击和抗震等特性，能满足恶劣的环境条件。

GX85RS2MC性能参数如下：

• 容量：2M bit，提供SPI接口；

• 工作频率是25MHz；

• 高速读特性：支持40MHz高速读命令；

• 工作环境温度范围：-40℃至85℃；

• 封装形式：8引脚SOP封装，符合RoHS；

• 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）；