铁电存储器GX85RS2MC(FM25V20A)在FPGA中的应用方案

现有的大多数商用FPGA都是基于SRAM架构进行编程的，但它最大的缺陷就是掉电后存储信息的易失性(如EPROM)，在每次工作时重新装编程信息来解决，但它不仅消耗硬件资源，而且带来了另一个问题编程信息的保密性，这就使得研究关于内置式非易失性FPGA成为必要，本文主要提到一种基于铁电存储器编程的FPGA的新思路，介绍了其性能特征在编程方面的优势。

铁电存储器GX85RS2MC它是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，其具有高可靠性，数据保持时间为100年，完全随机不需要写等待的高读写效率，SPI接口速率最高可以支持到25Mhz的工作频率，并且具有非常低的功耗；由于其特殊的铁电材质，所以该存储器的擦写次数可达1E6 次读/写操作*1。

GX85RS2MC参数如下：

•容量：2M bit，提供SPI接口；

•工作频率是25兆赫兹；

•数据保持：10年@85℃（200年@25℃）；

•高速读特性：支持40MHz高速读命令；

•工作环境温度范围：-40℃至85℃；

•封装形式：8引脚SOP封装，符合RoHS；

•性能兼容富士通和赛普拉斯；