FRAM GX85RS2MC兼容MB85RS2MT用于可穿戴产品
发布日期:2024-10-17
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FRAM的主要优点是数据读取速度快，读取电流极小，非常适用于一些对频繁读取数据有要求的一些应用。此外，也可以通过使用FRAM来延长电池寿命。
与EEPROM和闪存等现有类型的非易失性存储器相比，FRAM具有高写入速度、高读/写耐久性和低功耗的特点，广泛应用于IC卡、RFID标签、功率计和工业机械等，同时由于其尺寸小的特性也非常适合可穿戴设备和传感器网络。
GXSC GX85RS2MC（MB85RS2MT）具有读写速度快、写入寿命长、写入耗能小等优点。它的工作电压范围为2.7V至3.6V，最低待机功耗只有9微安，能在低电流的情况下瞬间保存数据，确保系统中的信息安全。
FRAM GX85RS2MC芯片介绍：
• 接口类型：SPI接口；
• 工作频率：25兆赫兹；
• 数据保持：10年@85℃（200年@25℃）；
• 高速读特性：支持40MHz高速读命令；
• 工作环境温度范围：-40℃至85℃；
• 封装形式：8引脚SOP封装，符合RoHS；
• 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）。
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